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4英寸氮化镓Template

4英寸氮化镓复合衬底
   
4-inch GaN Templates
直径 Dimension101±0.5 mm
氮化镓层厚度 GaN   Layer Thickness4.5 ± 0.5μm
蓝宝石层厚度   Sapphire Thickness650 ± 10 μm
晶向OrientationC plane (0001)  ±0.5°
导电类型   Conduction TypeN-type
    Un-doped
N-type
    Silicon-doped
电阻率Resistivity   (300K)<   0.2 Ω·cm<   0.02 Ω·cm
位错密度   Dislocation density<5×108  cm-2
(002) 面半峰宽   (002) FWHM280
(102) 面半峰宽   (102) FWHM300
可用面积 Useable   area90 %
包装 PackagePackaged in individual containers in a class 100 clean room   environment.


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