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方形氮化镓自支撑衬底

产品概述
方形氮化镓自支撑衬底
    Free-standing GaN Substrates (Square)
尺寸 Size(10±0.5)×(15±0.5) mm2
   
Customized Size
厚度   Thickness400 ± 25 μm
晶向OrientationC plane (0001) off angle toward M-axis
    0.30±0.15° or 0.55 ± 0.15°
总厚度变化 TTV 10 μm
弯曲度 BOW 10 μm
导电类型   Conduction TypeN-type
    Un-doped
N-type
    Silicon-doped
Semi-Insulating
    Carbon-doped
电阻率Resistivity   (300K)<   0.2 Ω·cm<   0.02 Ω·cm109 Ω·cm
镓面粗糙度 Ga   face surface roughness< 0.3 nm (10×10μm)
氮面粗糙度 N   face surface roughnessEtched 0.5 ~1.5   μm);Polished< 0.3nm
位错密度   Dislocation density<8×105  cm-2
(002) 面半峰宽   (002) FWHM70   arcsec
(102) 面半峰宽   (102) FWHM70   arcsec
宏观缺陷密度   Macro defect density (hole)< 0.3 cm-2
可用面积   Useable area90 %
包装 PackagePackaged in individual containers in a class 100 clean room   environment.


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